X線吸収微細構造とX線回折によるGaInN/GaN単一量子井戸の解析
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発光デバイスに用いられる GaInN/GaN 量子井戸の In 凝集と発光特性の関係を、X 線吸収微細構造解析、X 線回折、フォトルミネッセンス、蛍光顕微鏡観察を組み合わせて解析した。発光波長が青～黄色帯の In 組成の c 面 GaN 基板上の単一量子井戸を解析したところ、発光波長が長波長化するに従って、発光スペクトルの半値幅、空間的な発光強度むらが増加することは確認できたが、In 凝集の状態を特定することは出来なかった。