Author
- 水島 啓貴, 新井 龍志, 稲葉 雄大, 蟹谷 裕也, 工藤 喜弘
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硬X線光電子分光法によるGaInN/GaN 量子井戸のピエゾ電界評価
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Abstract
GaInN/GaN量子井戸構造のピエゾ電界を評価するため、硬X線光電子分光とスペクトルシミュレーションを組み合わせた評価手法を構築した。また、X線回折による結晶構造解析を用いてGaInN層の In組成を見積もり、構築した解析手法により見積もられるピエゾ電界との相関を調査した。緑～橙帯発光の試料では、GaInN層のIn組成が増加するにつれてピエゾ電界が増加する傾向が確認された。一方で、赤帯発光の試料では橙試料と比べてピエゾ電界が低下することがわかった。これは GaInN層の格子歪の緩和の影響が大きくなることに由来すると考えられる。
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微分位相コントラストSTEMを用いたGaN/AlGaN/InGaNマルチヘテロ接合の局所電場観察
電気学会論文誌Ｃ|2022
遠山 慧子*, 関 岳人*, 蟹谷 裕也, 冨谷 茂隆, 幾原 雄一*, 柴田 直哉*
The local electric field distributions inside specimens can be directly observed by differential-phase-contras […]
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InGaN量子井戸におけるPLスペクトル温度変化の理論モデル解析
JSAP|2021
袴田 舜也*, 藤田 貴志*, 山口 敦史*, 草薙 進, 蟹谷 裕也, 工藤 喜弘, 冨谷 茂隆
InGaN量子井戸ではIn組成が空間的大きく揺らぐことで、PLピークの温度依存性がS字カーブを描くなど、PLスペクトルとその温度依存性が特徴的なものとなることが知られている。本研究では、In組成が系統的に異なるInGaN […]
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